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    歷經(jīng)483天審稿！只為客觀地揭示SiOx負極SEI老化機制
    來源： 時間：2023-10-30 09:29:31 瀏覽：1854次

    第一作者：Guoyu Qian、Yiwei Li

    通訊作者：楊盧奕副研究員、潘鋒教授

    通訊單位：北京大學深圳研究院

    DOI: 10.1038/s41467-023-41867-6


    研究背景

    氧化硅（SiOx，0<x<2）是一種理想的石墨負極材料替代品，但SiOx負極快速的容量衰減卻極大地限制了其發(fā)展。對于Si/SiOx負極，固體電解質(zhì)界面（SEI）老化是最關(guān)鍵但很少有人研究的問題?；诖?，北京大學深圳研究院楊盧奕副研究員、潘鋒教授等人報道了利用三維聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）層析成像，揭示了SiOx上SEI生長和老化的演化機制。研究結(jié)果表明，SiOx上的SEI是非均質(zhì)結(jié)構(gòu)，SEI的內(nèi)層疏松而外層致密，推翻了SEI是均質(zhì)結(jié)構(gòu)的普遍觀點。此外，結(jié)合納米探針技術(shù)和電子能量損失譜（EELS），還發(fā)現(xiàn)電極中導(dǎo)電劑可能會嵌入SEI內(nèi)，從而賦予SEI一定的導(dǎo)電能力，與普遍認為SEI是電子絕緣的觀點相矛盾。該工作為理解SiOx負極SEI老化提供了全新的理解，可能會在未來激發(fā)可行的改進策略。


    文章要點

    1、采用三維FIB-SEM層析成像，直觀且客觀地揭示SiOx上SEI生長和老化的演化的秘密。SEI在SiOx表面生長是不致密的，并且會在充電時與SiOx內(nèi)核部分剝離。伴隨著SiOx重復(fù)的膨脹收縮，后生成的SEI會不斷擠壓初始生成的SEI，最終導(dǎo)致“內(nèi)層疏松而外層致密”的非均質(zhì)結(jié)構(gòu)。

    2、由于SEI在老化過程中會裹挾導(dǎo)電劑顆粒，放任SEI自由生長會削弱電極中由導(dǎo)電劑構(gòu)建的電子傳輸網(wǎng)絡(luò)，從而導(dǎo)致SiOx容量快速衰減。此外，采用概念驗證策略證明壓縮SEI自由生長空間，即在電極表面施加石墨層，可有效提高SiOx電極的循環(huán)穩(wěn)定性。


    圖文展示

     

    圖1. SiOx負極循環(huán)過程中SEI生長過程

     

    圖2.不同電化學狀態(tài)下SiOx粒子及其SEI的三維重構(gòu)

     

    圖3. SiOx顆粒上SEI老化過程示意圖

     

    圖4. SEI區(qū)域的電子導(dǎo)電性和導(dǎo)電成分分布

     

    圖5. 體積限制策略提高SiOx負極循環(huán)穩(wěn)定性

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    全部 3小時前 四川
    文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具?，F(xiàn)代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產(chǎn)生書面文字，很多小語種，有語言但沒有文字。文字的不同體現(xiàn)了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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