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微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）

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微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）

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項(xiàng)目介紹

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀是一種電磁波能量的測(cè)試設(shè)備。

它既能測(cè)量單端口網(wǎng)絡(luò)或兩端口網(wǎng)絡(luò)的各種參數(shù)幅值，又能測(cè)相位，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀能用史密斯圓圖顯示測(cè)試數(shù)據(jù)。

矢量網(wǎng)絡(luò)可以測(cè)試電磁屏蔽和吸波性能。

電磁屏蔽計(jì)算主要用S參數(shù)，吸波效率計(jì)算用電磁參數(shù)。

樣品要求

1. 同軸模式粉末樣品一般至少需0.1g（與樣品濃度有關(guān)）, 或者自己制備成同軸環(huán)（外徑7mm,內(nèi)徑3mm,厚度不超過2mm），測(cè)試頻段1-18、2-18GHz;

2. 波導(dǎo)需要根據(jù)測(cè)試頻段制備標(biāo)準(zhǔn)尺寸樣品，最好是在制備好后可以放進(jìn)波導(dǎo)片里；

制樣標(biāo)準(zhǔn)：22.9X10.2X2mm（8.2~12.4GHz）；15.9X8.03X2 mm (12.4~18GHz); 10.95X4.5X2mm(18-26.5GHz); 7.15x3.60x2mm(26.5-40GHz); 薄膜20mmX30mm，厚度小于0.1mm；

3.弓形法需要制成180x180mm的大板；

4.諧振腔法：長寬40x50mm薄膜，厚度不超過1mm，送樣前進(jìn)行嚴(yán)格測(cè)量。

5.法蘭同軸法塊體/薄膜樣品尺寸要求：小同軸法：直徑94mm圓兩塊    大同軸法：直徑133mm圓兩塊(注：兩塊圓需材質(zhì)一致，厚度相近，其中一塊圓測(cè)試時(shí)需進(jìn)行裁剪)

6.屏蔽室法塊體/薄膜樣品尺寸要求：400mm*400mm


項(xiàng)目案例

不同碳化溫度下 Co /CNF 復(fù)合材料的反射損耗( a，c，e，g) 和阻抗匹配曲線( b，d，f，h) : ( a，b) 600 ℃，( c，d) 700 ℃， ( e，f) 800 ℃，( g，h) 900 ℃

不同碳化溫度下鈷/碳納米纖維復(fù)合材料的電磁參數(shù): ( a) 復(fù)介電常數(shù)實(shí)部，( b) 復(fù)介電常數(shù)虛部，( c) 介電損耗

不同碳化溫度下 Co /CNF 復(fù)合材料的電磁參數(shù): ( a) 復(fù)磁導(dǎo)率實(shí)部，( b) 復(fù)磁導(dǎo)率虛部，( c) 磁損耗

常見問題
1、矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)中，給出的TXT是什么數(shù)據(jù)？

S參數(shù)（其中r代表實(shí)部，i代表虛部）。

2、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中，弓形法只能給出什么數(shù)據(jù)？

只能給出吸波反射率。

3、想用粉末測(cè)同軸，如果要加石蠟的話，有沒有一個(gè)參考值呢？

沒有參考的情況下只能測(cè)1:1，然后根據(jù)數(shù)據(jù)再調(diào)濃度，最好能夠查文獻(xiàn)了解。

4、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中，電磁屏蔽是直接用什么計(jì)算的？

S參數(shù)。

5、VNA不同測(cè)試方法能得到哪些信息？

VNA同軸法：

1.可測(cè)試內(nèi)容：吸波性能，電磁屏蔽

2.可得到參數(shù)：S參數(shù)（包括反射系數(shù) S11、傳輸系數(shù) S21 ），電磁參數(shù)（包括介電常數(shù)，損耗角正切和磁導(dǎo)率）；然后分別通過電磁參數(shù)和s參數(shù)仿真得到吸波效能和屏蔽效能。

VNA波導(dǎo)法：

1.可測(cè)試內(nèi)容：電磁屏蔽，吸波性能

2.可得到參數(shù)：S參數(shù)（包括反射系數(shù) S11、傳輸系數(shù) S21 ），電磁參數(shù)（包括介電常數(shù)，損耗角正切和磁導(dǎo)率）；然后計(jì)算仿真吸波和透波

VNA弓形法：

1.可測(cè)試內(nèi)容：TEM波

2.可得到參數(shù)：只有吸波反射率 R(f,θ,Pol)，單位 dB；無法測(cè)得電磁屏蔽，不輸出 S 參數(shù)、εr、μr、SE，因此不能反演得到電磁參數(shù)

VNA諧振腔法：

1.可測(cè)試得到參數(shù)：相對(duì)介電常數(shù)，介電損耗

VNA法蘭同軸法：

1.可測(cè)試內(nèi)容：電磁屏蔽

2.可得到參數(shù)：測(cè)試數(shù)據(jù)為屏蔽效能曲線，只能得到電磁屏蔽值，不會(huì)得到S參數(shù)，若經(jīng)過數(shù)據(jù)處理做全S參數(shù)反演，可同時(shí)給出復(fù)介電常數(shù) εr 與復(fù)磁導(dǎo)率 μr

VNA屏蔽室法：

1.頻率范圍：電磁屏蔽。

2.僅給出“整體屏蔽性能”，不能直接給出 εr、μr、反射率

微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）

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