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氬離子拋光(離子研磨CP)

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滿意度

氬離子拋光(離子研磨CP)

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平均15個工作日完成

優(yōu)惠券:

無門檻 8折

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如有各類設(shè)備采購需求,請聯(lián)系專屬顧問。
項目介紹

氬離子拋光技術(shù)/離子研磨CP(Cross section Polisher)用于SEM、EPMA、EBSD等樣品的制備。

依靠離子束轟擊制備樣品剖面,可以獲得表面平滑的樣品,觀察范圍大、清潔而且適用于幾乎所有材料,而不會對樣品造成機械損害。

去除損傷層,從而得到高質(zhì)量樣品。

樣品要求

1.送樣前需要對樣品進行預(yù)處理:樣品預(yù)磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來光滑,不粗糙;

2. 送測樣品的尺寸要求:塊狀樣品:以待拋光區(qū)域為中心點,樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨平)粉末樣品:10g以上;

3. 樣品準備2-3片;

4. 預(yù)約時認真填寫樣品信息以及測試目的,必要時上傳參考圖片或文件。

項目案例
常見問題
1、何時需要用到氬離子拋光(離子研磨CP)?

當(dāng)你需要獲得一個無損傷、無假象、能真實反映材料原始結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量平整截面(用于SEM/EBSD等觀察)時,得用CP。

2、離子研磨 vs. FIB:如何選擇?

CP:適合大面積、無損傷截面(如電池極片、LED芯片層析)。FIB:適合微區(qū)精準切割(如TEM ),但需后續(xù)CP去除鎵損傷層。

氬離子拋光(離子研磨CP)

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