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當(dāng)前位置:材料測試 ?  成分分析 ? 

靜態(tài)二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)

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靜態(tài)二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)

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項(xiàng)目介紹

二次離子質(zhì)譜SIMS是一種檢測固體表面及近表面的成分信息的技術(shù),幾乎可以分析任何在真空中穩(wěn)定的固體。它不僅可以進(jìn)行全元素(從H到U)及同位素分析,同時(shí)還可以準(zhǔn)確地識別原子團(tuán)官能團(tuán),并對固體樣品進(jìn)行微區(qū)分析成像深度動(dòng)態(tài)分析

SIMS技術(shù)對材料表面、界面的元素、分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,分析深度可達(dá)到表面1-3nm,檢出限可達(dá)ppm級別。它可以對樣品進(jìn)行成像和成分定性鑒定,還可以實(shí)現(xiàn)三維成像、二維成像、質(zhì)譜分析等。

當(dāng)前,SIMS已被廣泛應(yīng)用于各種科學(xué)領(lǐng)域,包括半導(dǎo)體、生物、醫(yī)藥、化學(xué)、材料以及天體物理等研究領(lǐng)域。

樣品要求

1. 一般要求樣品無磁性,弱磁性樣品可以測試,無法測試強(qiáng)磁性樣品;

2. 粉末樣品至少為10mg;塊體樣品的尺寸小于1cm x 1cm x0. 8cm,最小幾毫米;

3. 若需獲取3D圖,需在選項(xiàng)中選擇,默認(rèn)情況下不提供;

4. 深度分析的具體測試費(fèi)用與深度、離子有關(guān);

5. 如果測試需要與之前的條件相同,請務(wù)必提供之前的測試條件;

6. 正負(fù)離子測試是分開進(jìn)行的,測試時(shí)間獨(dú)立計(jì)算;

7. 務(wù)必在樣品非測試面上標(biāo)記“×”,僅在測試單上描述是不夠的;

8. 鐵、鈷、鎳、錳、釕等磁性元素的樣品定義為磁性樣品;不能被強(qiáng)磁鐵吸引的樣品為弱磁樣品,能被強(qiáng)磁鐵吸引的樣品為強(qiáng)磁樣品;請仔細(xì)檢查樣品磁性,因隱瞞樣品信息導(dǎo)致儀器損壞,需要您承擔(dān)全部賠償責(zé)任;

:深度分析測試時(shí)間為1500元/樣(1小時(shí)內(nèi)),超過1小時(shí)的部分將額外收取1000元/小時(shí)的費(fèi)用。不同離子、不同樣品的測試時(shí)間均不疊加計(jì)算。

項(xiàng)目案例

ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 56151?56160:F8IC深度分析

TOF-SIMS三維成像(3D圖)

TOF-SIMS二維成像(Mapping)

TOF-SIMS質(zhì)譜圖

常見問題
1、離子后面帶的正或者負(fù)符號,為什么都是正一價(jià)或負(fù)一價(jià)?

離子帶正或負(fù)的符號只是代表正離子或者負(fù)離子,與價(jià)態(tài)無關(guān)。

2、在TOF-SIMS測試中,如果需要同時(shí)測試正負(fù)離子,那么需要分別使用不同的樣品進(jìn)行測試嗎?可以在同一個(gè)樣品上選取不同的區(qū)域進(jìn)行測試嗎?

如果是測試質(zhì)譜和二維成像,因?yàn)闆]有損傷,可以選取同一個(gè)位置進(jìn)行測試,且采集完正離子后可以繼續(xù)采集負(fù)離子信息;如果是做深度分析,則可以在同一個(gè)樣品上選取不同的區(qū)域,分別測試正離子和負(fù)離子。

3、TOF-SIMS可以測離子含量嗎?

不能。TOF-SIMS靜態(tài)二次離子質(zhì)譜測試離子強(qiáng)度,為定性測試,不能定量。

4、TOF-SIMS中,質(zhì)譜測試濺射厚度是多深?

一般濺射厚度為2到3層原子,小于1nm。

靜態(tài)二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)

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